图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 安装 | Surface Mount |
| 包装宽度 | 6.22 |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 47000 |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 7.5@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-252 |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最高工作温度 | 175 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 6.5 |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 2.3 |
| 最大连续漏极电流 | 50 |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 50 A |
| 系列 | IPD075N03 |
| 封装/外壳 | TO-252 |
| RDS（ON） | 6.3 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 功率耗散 | 47 W |
| 商品名 | OptiMOS |
| 正向跨导 - 闵 | 61 S |
| 栅极电荷Qg | 18 nC |
| 零件号别名 | SP000680634 |
| 上升时间 | 3.6 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 2.8 ns |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| 宽度 | 6.22 mm |
| Qg - Gate Charge | 18 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 50 A |
| 长度 | 6.5 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 6.3 mOhms |
| 身高 | 2.3 mm |
| Pd - Power Dissipation | 47 W |
| 技术 | Si |
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